买卖IC网 >> 产品目录 >> IPD105N03LGATMA1 MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IPD105N03LGATMA1

库存数量：4500
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET
IPD105N03LGATMA1 PDF下载
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 10.5 mOhms
配置
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PG-TO252-3-11
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 IPD105N03LGATMA1
IPD105N04L
IPD105N04L G
IPD105N04LG
IPD10N03LA
IPD10N03LA G
供应商
公司名
电话
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中山市翔美达电子科技有限公司 15502070655 朱小姐
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-23941632 朱先生/李小姐
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深圳廊盛科技有限公司 18229386512 李小姐
中山市翔美达电子科技有限公司 15502070655 朱小姐
上海航霆电子技术有限公司 0755-83742594 林生18701789587
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部 0755-23603360 江先生
  • IPD105N03LGATMA1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.048 1.048
    10 0.91 9.1
    100 0.718 71.8
    500 0.524 262
    2,500 0.346 865
    5,000 0 0